制造商型号： | SE60210GA |
制造商： | SINO-IC (光宇睿芯) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：210A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
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客服： | |
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SINO-IC(光宇睿芯) SE60210GA
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SE60210GA 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE60210GA
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：210A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
210A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
2.6mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
300W
类型
N沟道
包装方式
管装
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 4.545744 | 4.55 |
| 10 | 3.769908 | 37.70 |
| 50 | 3.387454 | 169.37 |
| 100 | 2.994072 | 299.41 |
| 500 | 2.502345 | 1251.17 |
品牌其他型号
SE60210GA品牌厂家：SINO-IC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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