制造商型号： | L8550QLT1G |
制造商： | LRC (乐山无线电) |
产品类别： | 晶体管IGBT |
商品描述： | 集电极电流Ic：800mA 额定功率：225mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：25V |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
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客服： | |
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LRC(乐山无线电) L8550QLT1G
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L8550QLT1G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
L8550QLT1G
制造商
LRC(乐山无线电)
商品描述
集电极电流Ic：800mA 额定功率：225mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：25V
额定功率
225mW
集电极电流Ic
800mA
集射极击穿电压Vce
25V
晶体管类型
PNP
包装方式
编带
库存： 0
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 0.064496 | 0.06 |
| 100 | 0.060197 | 6.02 |
| 300 | 0.055897 | 16.77 |
| 500 | 0.051597 | 25.80 |
| 2000 | 0.049448 | 98.90 |
品牌其他型号
L8550QLT1G品牌厂家：LRC
，所属分类： 晶体管IGBT
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