制造商型号: | SE200100G |
制造商: | SINO-IC (光宇睿芯) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250A 漏源导通电阻:13.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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SINO-IC(光宇睿芯) SE200100G
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SE200100G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE200100G
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250A 漏源导通电阻:13.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
200V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
100A
栅源极阈值电压
4.5V @ 250A
漏源导通电阻
13.5mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
300W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 15.011733 | 15.01 |
10 | 13.314293 | 133.14 |
30 | 12.242784 | 367.28 |
100 | 11.351628 | 1135.16 |
500 | 10.757524 | 5378.76 |
品牌其他型号
SE200100G品牌厂家:SINO-IC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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