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SINO-IC(光宇睿芯) SE200100G

SINO-IC(光宇睿芯) SE200100G
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SE200100G

制造商:

SINO-IC (光宇睿芯)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-射频

商品描述:

连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250A 漏源导通电阻:13.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W 类型:N沟道

供货:

货期 工作日(7-10天)

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SE200100G 规格参数

属性
参数值

制造商型号

SE200100G

制造商

SINO-IC(光宇睿芯)

商品描述

连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250A 漏源导通电阻:13.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W 类型:N沟道

漏源电压(Vdss)

200V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

100A

栅源极阈值电压

4.5V @ 250A

漏源导通电阻

13.5mΩ @ 50A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)

300W

类型

N沟道

包装方式

编带

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥15.011733 总价:¥15.01

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 15.011733 15.01
10 13.314293 133.14
30 12.242784 367.28
100 11.351628 1135.16
500 10.757524 5378.76
品牌其他型号
SE200100G品牌厂家:SINO-IC ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频 ,可在锐单商城现货采购SE200100G、查询SE200100G代理商; SE200100G价格批发咨询客服;这里拥有 SE200100G中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 SE200100G替代型号SE200100G数据手册PDF