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当前“时钟缓冲器芯片”共4829条相关库存
什么是时钟缓冲器芯片:

在计算机领域,缓冲器指的是缓冲寄存器,它分输入缓冲器和输出缓冲器两种

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PL130-58QC-R_时钟缓冲器芯片
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电压-电源: 2.375V ~ 3.63V

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PL133-97QC-R_时钟缓冲器芯片
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封装/外壳: 16-WFQFN Exposed Pad

PL701-02SC_时钟缓冲器芯片
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SY56020XRMG-TR_时钟缓冲器芯片
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电压-电源: 2.375V ~ 2.625V

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封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad, 16-MLF®

SY89876LMI TR_时钟缓冲器芯片
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封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad, 16-MLF®

SY89876LMI TR_时钟缓冲器芯片
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封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad, 16-MLF®

SY10H842ZH-TR_时钟缓冲器芯片
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SY10H841LZH-TR_时钟缓冲器芯片
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封装/外壳: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

SY100H842ZH-TR_时钟缓冲器芯片
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SY100H842ZH_时钟缓冲器芯片
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SY100H841ZH-TR_时钟缓冲器芯片
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SY100H841ZH_时钟缓冲器芯片
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SY100H841LZH-TR_时钟缓冲器芯片
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SY89876LMI_时钟缓冲器芯片
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SY89875UMI-TR_时钟缓冲器芯片
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SY89875UMI_时钟缓冲器芯片
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封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad, 16-MLF®

SY89874UMI-TR_时钟缓冲器芯片
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SY89873LMI-TR_时钟缓冲器芯片
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比率-输入:输出: 1:3

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封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad, 16-MLF®

SY89872UMI-TR_时钟缓冲器芯片
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SY89872UMI_时钟缓冲器芯片
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SY89871UMI-TR_时钟缓冲器芯片
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SY89854UMY TR_时钟缓冲器芯片
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封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad, 16-MLF®

SY89854UMY_时钟缓冲器芯片
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比率-输入:输出: 1:4

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封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad, 16-MLF®

SY89854UMI TR_时钟缓冲器芯片
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货期:7~10 天

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比率-输入:输出: 1:4

电压-电源: 2.375V ~ 3.6V

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封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad, 16-MLF®

SY89854UMI_时钟缓冲器芯片
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封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad, 16-MLF®

SY89834UMI-TR_时钟缓冲器芯片
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比率-输入:输出: 2:4

电压-电源: 2.375V ~ 3.6V

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封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad, 16-MLF®

SY89834UMI_时钟缓冲器芯片
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比率-输入:输出: 1:4

电压-电源: 2.375V ~ 2.625V

工作温度: -40°C ~ 85°C

封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad, 16-MLF®

SY89831UMI-TR_时钟缓冲器芯片
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比率-输入:输出: 1:4

电压-电源: 2.375V ~ 3.6V

工作温度: -40°C ~ 85°C

封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad, 16-MLF®

PL130-07AQC_时钟缓冲器芯片
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比率-输入:输出: 1:1

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封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad

PL686-35DC_时钟缓冲器芯片
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封装/外壳: Die

PL686-05DC_时钟缓冲器芯片
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电压-电源: 2.97V ~ 3.63V

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封装/外壳: Die

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工作温度: 0°C ~ 70°C

封装/外壳: Die

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封装/外壳: Die

SY58022UMI-TR_时钟缓冲器芯片
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比率-输入:输出: 1:4

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工作温度: -40°C ~ 85°C

封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad, 16-MLF®

PL586-25DC_时钟缓冲器芯片
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工作温度: 0°C ~ 70°C

封装/外壳: Die

SY58022UMI_时钟缓冲器芯片
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比率-输入:输出: 1:4

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封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad, 16-MLF®

PL586-18DC_时钟缓冲器芯片
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比率-输入:输出: 1:1

电压-电源: 2.97V ~ 3.63V

工作温度: 0°C ~ 70°C

封装/外壳: Die

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封装/外壳: Die

PL586-08DC_时钟缓冲器芯片
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比率-输入:输出: 1:1

电压-电源: 2.97V ~ 3.63V

工作温度: 0°C ~ 70°C

封装/外壳: Die

PL586-05DC_时钟缓冲器芯片
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比率-输入:输出: 1:1

电压-电源: 2.97V ~ 3.63V

工作温度: 0°C ~ 70°C

封装/外壳: Die

SY58021UMI-TR_时钟缓冲器芯片
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货期:7~10 天

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比率-输入:输出: 1:4

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封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad, 16-MLF®

SY58021UMI_时钟缓冲器芯片
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比率-输入:输出: 1:4

电压-电源: 2.375V ~ 3.6V

工作温度: -40°C ~ 85°C

封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad, 16-MLF®

SY58020UMI-TR_时钟缓冲器芯片
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货期:7~10 天

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比率-输入:输出: 1:4

电压-电源: 2.375V ~ 3.6V

工作温度: -40°C ~ 85°C

封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad, 16-MLF®

SY58020UMI_时钟缓冲器芯片
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国内:1~2 天

厂家: -

比率-输入:输出: 1:4

电压-电源: 2.375V ~ 3.6V

工作温度: -40°C ~ 85°C

封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad, 16-MLF®

SY58013UMI_时钟缓冲器芯片
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比率-输入:输出: 1:2

电压-电源: 2.375V ~ 3.6V

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封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad, 16-MLF®

SY58012UMI-TR_时钟缓冲器芯片
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货期:7~10 天

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封装/外壳: 16-VFQFN Exposed Pad, 16-MLF®

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封装/外壳: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)