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什么是晶体管IGBT:

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VIO50-06P1_晶体管IGBT
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VIO25-12P1_晶体管IGBT
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VIO25-06P1_晶体管IGBT
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VII25-06P1_晶体管IGBT
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VDI75-12P1_晶体管IGBT
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MWI75-12E8_晶体管IGBT
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安装类型: Chassis Mount

封装/外壳: E3

供应商器件封装: E3

MWI75-12A8_晶体管IGBT
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工作温度: -40°C ~ 125°C (TJ)

安装类型: Chassis Mount

封装/外壳: E3

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MWI50-12E7_晶体管IGBT
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工作温度: -40°C ~ 125°C (TJ)

安装类型: Chassis Mount

封装/外壳: E2

供应商器件封装: E2

MWI50-12E6K_晶体管IGBT
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安装类型: Chassis Mount

封装/外壳: E1

供应商器件封装: E1

MWI30-12E6K_晶体管IGBT
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安装类型: Chassis Mount

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MWI25-12E7_晶体管IGBT
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封装/外壳: E2

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MWI100-12E8_晶体管IGBT
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封装/外壳: E3

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MUBW35-12A8_晶体管IGBT
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工作温度: -40°C ~ 125°C (TJ)

安装类型: Chassis Mount

封装/外壳: E3

供应商器件封装: E3

MUBW35-06A6_晶体管IGBT
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工作温度: -40°C ~ 125°C (TJ)

安装类型: Chassis Mount

封装/外壳: E1

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MUBW30-12E6K_晶体管IGBT
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工作温度: -40°C ~ 125°C (TJ)

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MUBW25-06A6_晶体管IGBT
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MUBW20-06A6_晶体管IGBT
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封装/外壳: E1

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MUBW15-06A6_晶体管IGBT
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MKI100-12E8_晶体管IGBT
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安装类型: Chassis Mount

封装/外壳: E3

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MIO2400-17E10_晶体管IGBT
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安装类型: Chassis Mount

封装/外壳: E10

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