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什么是晶体管-FET,MOSFET-射频:

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

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MRF8S9100HSR5_晶体管-FET,MOSFET-射频
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MRF8S9100HSR3_晶体管-FET,MOSFET-射频
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MRF8S9100HR5_晶体管-FET,MOSFET-射频
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MRF7S35120HSR5_晶体管-FET,MOSFET-射频
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MRF7S18125AHR5_晶体管-FET,MOSFET-射频
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MRF6VP41KHSR7_晶体管-FET,MOSFET-射频
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MRF6VP41KHSR6_晶体管-FET,MOSFET-射频
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MRF6VP41KHSR5_晶体管-FET,MOSFET-射频
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MRF6VP41KHR5_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 450MHz

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封装/外壳: NI-1230

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MRF6VP3450HSR6_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 860MHz

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供应商器件封装: NI-1230S

MRF6VP21KHR6_晶体管-FET,MOSFET-射频
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MRF6VP121KHSR6_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 1.03GHz

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MRF6VP121KHR6_晶体管-FET,MOSFET-射频
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MRF6VP11KHR6_晶体管-FET,MOSFET-射频
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封装/外壳: NI-1230

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MRF6V4300NBR1_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 450MHz

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封装/外壳: TO-272BB

供应商器件封装: TO-272 WB-4

MRF6V14300HR3_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 1.4GHz

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封装/外壳: SOT-957A

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MRF6V12250HSR3_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 1.03GHz

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封装/外壳: NI-780S

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MRF6S21190HR5_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 2.11GHz ~ 2.17GHz

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频率: 2.11GHz ~ 2.17GHz

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封装/外壳: NI-880

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频率: 1.93GHz ~ 1.99GHz

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电压-额定: 66V

封装/外壳: NI-780S

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MRF6S19200HSR3_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 1.93GHz ~ 1.99GHz

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MRF6S19200HR5_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 1.93GHz ~ 1.99GHz

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封装/外壳: SOT-957A

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频率: 1.93GHz ~ 1.99GHz

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封装/外壳: SOT-957A

供应商器件封装: NI-780H-2L

BLF6G20-230P_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 1.8GHz

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电压-额定: 65V

封装/外壳: SOT-502A

供应商器件封装: LDMOST

MRFG35005ANT1_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 3.55GHz

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封装/外壳: PLD-1.5

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MRFG35003ANT1_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 3.55GHz

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电压-额定: 15V

封装/外壳: PLD-1.5

供应商器件封装: PLD-1.5

MRFG35003ANR5_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 3.55GHz

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电压-额定: 15V

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供应商器件封装: PLD-1.5

MRFG35002N6AT1_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 3.55GHz

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电压-额定: 8V

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供应商器件封装: PLD-1.5

MRFE6S9205HR5_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 880MHz

安装类型: -

电压-额定: 66V

封装/外壳: NI-880

供应商器件封装: NI-880