| | ULTRA BROADBAND EMBEDDING/WIRE B 硅电容器 | | | 厂家: - 包装: 托盘 容差: ±15% 工作温度: -55°C ~ 150°C 电容: 1nF 封装/外壳: 0201 (0603 Metric) |
| | ULTRA BROADBAND EMBEDDING/WIRE B 硅电容器 | | | 厂家: - 包装: 托盘 容差: ±15% 工作温度: -55°C ~ 150°C 电容: 10nF 封装/外壳: 0201 (0603 Metric) |
| | ULTRA BROADBAND EMBEDDING/WIRE B 硅电容器 | | | 厂家: - 包装: 托盘 容差: ±15% 工作温度: -55°C ~ 150°C 电容: 5.6nF 封装/外壳: 0201 (0603 Metric) |
| | ULTRA BROADBAND LOW PROFILE SILI 硅电容器 | | | 厂家: - 包装: 整装 容差: ±15% 工作温度: -55°C ~ 150°C 电容: 100nF 封装/外壳: 0402 (1005 Metric) |
| | ULTRA BROADBAND LOW PROFILE SILI 硅电容器 | | | 厂家: - 包装: 整装 容差: ±15% 工作温度: -55°C ~ 150°C 电容: 47nF 封装/外壳: 0402 (1005 Metric) |
| | XTREM BROADBAND LOW PROFILE SILI 硅电容器 | | | 厂家: - 包装: 整装 容差: ±15% 工作温度: -55°C ~ 150°C 电容: 10nF 封装/外壳: 0201 (0603 Metric) |
| | XTREM BROADBAND LOW PROFILE SILI 硅电容器 | | | 厂家: - 包装: 整装 容差: ±15% 工作温度: -55°C ~ 150°C 电容: 5.6nF 封装/外壳: 0201 (0603 Metric) |
| | AUTOMOTIVE SI CAP 100NF , -55/+2 硅电容器 | | | 厂家: - 包装: 整装 容差: ±15% 工作温度: -55°C ~ 200°C 电容: 100nF 封装/外壳: 0605 (1513 Metric) |
| | ULTRA BROADBAND SILICON CAPACITO 硅电容器 | | | 厂家: - 包装: 整装 容差: ±15% 工作温度: -55°C ~ 150°C 电容: 100nF 封装/外壳: 0402 (1005 Metric) |
| | ULTRA LARGE BAND VERTICAL WIREBO 硅电容器 | | | 厂家: - 包装: 整装 容差: ±15% 工作温度: -55°C ~ 150°C 电容: 10nF 封装/外壳: 0303 (0808 Metric) |
| | ULTRA LARGE BAND VERTICAL WIREBO 硅电容器 | | | 厂家: - 包装: 整装 容差: ±15% 工作温度: -55°C ~ 150°C 电容: 10nF 封装/外壳: 0303 (0808 Metric) |
| | BROADBAND LOW PROFILE SILICON CA 硅电容器 | | | 厂家: - 包装: 整装 容差: ±15% 工作温度: -55°C ~ 150°C 电容: 100nF 封装/外壳: 0402 (1005 Metric) |
| | ULTRA LARGE BAND VERTICAL WIREBO 硅电容器 | | | 厂家: - 包装: 整装 容差: ±15% 工作温度: -55°C ~ 150°C 电容: 22nF 封装/外壳: 0504 (1210 Metric) |
| | BROADBAND SILICON CAPACITOR 100N 硅电容器 | | | 厂家: - 包装: 整装 容差: ±15% 工作温度: -55°C ~ 150°C 电容: 100nF 封装/外壳: 0402 (1005 Metric) |
| | ULTRA LARGE BAND VERTICAL WIREBO 硅电容器 | | | 厂家: - 包装: 托盘 容差: ±15% 工作温度: -55°C ~ 150°C 电容: 47pF 封装/外壳: 0201 (0603 Metric) |
| | ULTRA LARGE BAND VERTICAL WIREBO 硅电容器 | | | 厂家: - 包装: 整装 容差: ±15% 工作温度: -55°C ~ 150°C 电容: 10nF 封装/外壳: 0202 (0505 Metric) |
| | ULTRA BROADBAND LOW PROFILE SILI 硅电容器 | | | 厂家: - 包装: 整装 容差: ±15% 工作温度: -55°C ~ 150°C 电容: 10nF 封装/外壳: 0201 (0603 Metric) |
| | ULTRA BROADBAND LOW PROFILE SILI 硅电容器 | | | 厂家: - 包装: 整装 容差: ±15% 工作温度: -55°C ~ 150°C 电容: 22nF 封装/外壳: 0201 (0603 Metric) |
| | ULTRA LARGE BAND VERTICAL WIREBO 硅电容器 | | | 厂家: - 包装: 整装 容差: ±15% 工作温度: -55°C ~ 150°C 电容: 1nF 封装/外壳: 0202 (0505 Metric) |