| | | | | 厂家: - 系列: CoolMOS™ 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Through Hole 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: PG-TO220-3-1 |
| | | | | 厂家: - 系列: HEXFET® 电压-断态: - 工作温度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: DirectFET™ Isometric MZ 供应商器件封装: DIRECTFET™ MZ |
| | | | | 厂家: - 系列: CoolMOS™ 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Through Hole 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: PG-TO220-3-1 |
| | | | | 厂家: - 系列: SIPMOS® 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: PG-TO220-3-1 |
| | | | | 厂家: - 系列: HEXFET® 电压-断态: - 工作温度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: DirectFET™ Isometric MT 供应商器件封装: DIRECTFET™ MT |
| | | | | 厂家: - 系列: SIPMOS® 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: PG-TO220-3-1 |
| | | | | 厂家: - 系列: HEXFET® 电压-断态: - 工作温度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: DirectFET™ Isometric SH 供应商器件封装: DIRECTFET™ SH |
| | | | | 厂家: - 系列: OptiMOS™ 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) 供应商器件封装: PG-TO263-7-3 |
| | | | | 厂家: - 系列: OptiMOS™ 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: PG-TO220-3 |
| | | | | 厂家: - 系列: HEXFET® 电压-断态: - 工作温度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: DirectFET™ Isometric SH 供应商器件封装: DIRECTFET™ SH |
| | | | | 厂家: - 系列: - 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装: D2PAK |
| | MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: OptiMOS™ 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装: PG-TSOP-6-6 |
| | | | | 厂家: - 系列: OptiMOS™ 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: PG-TO220-3 |
| | MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: OptiMOS™ 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装: PG-TSOP-6-6 |
| | | | | 厂家: - 系列: - 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装: D2PAK |
| | | | | 厂家: - 系列: HEXFET® 电压-断态: - 工作温度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: DirectFET™ Isometric MN 供应商器件封装: DIRECTFET™ MN |
| | | | | 厂家: - 系列: OptiMOS™ 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: PG-TO220-3-1 |
| | MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: OptiMOS™ 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装: PG-TSOP-6-6 |
| | | | | 厂家: - 系列: - 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装: D2PAK |
| | | | | 厂家: - 系列: HEXFET® 电压-断态: - 工作温度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: DirectFET™ Isometric MN 供应商器件封装: DIRECTFET™ MN |
| | | | | 厂家: - 系列: OptiMOS™ 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: PG-TO220-3 |
| | MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: OptiMOS™ 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装: PG-TSOP-6-6 |
| | | | | 厂家: - 系列: HEXFET® 电压-断态: - 工作温度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: DirectFET™ Isometric MN 供应商器件封装: DIRECTFET™ MN |
| | | | | 厂家: - 系列: HEXFET® 电压-断态: - 工作温度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: DirectFET™ Isometric MN 供应商器件封装: DIRECTFET™ MN |
| | | | | 厂家: - 系列: OptiMOS™ 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: PG-TO220-3-1 |
| | MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: OptiMOS™ 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装: PG-TSOP-6-6 |
| | | | | 厂家: - 系列: HEXFET® 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装: D2PAK |
| | MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: OptiMOS™ 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装: PG-TSOP-6-6 |
| | | | | 厂家: - 系列: HEXFET® 电压-断态: - 工作温度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: DirectFET™ Isometric SJ 供应商器件封装: DIRECTFET™ SJ |
| | | | | 厂家: - 系列: HEXFET®, StrongIRFET™ 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 封装/外壳: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 供应商器件封装: TO-262 |
| | MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: OptiMOS™ 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装: PG-TSOP-6-6 |
| | | | | 厂家: - 系列: HEXFET® 电压-断态: - 工作温度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: DirectFET™ Isometric SJ 供应商器件封装: DIRECTFET™ SJ |
| | | | | 厂家: - 系列: OptiMOS™ 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: PG-TO220-3-1 |
| | MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: OptiMOS™ 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装: PG-TSOP-6-6 |
| | | | | 厂家: - 系列: OptiMOS™ 电压-断态: - 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: PG-TO220-3-1 |