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万邦电子公司是一家从事存储器集成电路设计、制造和销售服务的公司,为全球客户提供高质量的存储解决方案。Winbond的产品线包括代码存储闪存、串行和并行NAND、专用DRAM和移动DRAM。

英文全称:Winbond Electronics

中文全称:华邦

英文简称:Winbon

品牌介绍: 华邦Winbon

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
W634GU8QB11I TR_未分类
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动态随机存取存储器 4Gb DDR3L 1.35V S动态随机存取存储器, x8, 933MHz, Industrial Temp, T&R

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动态随机存取存储器 4Gb LPDDR4, DDP, x32, 1600MHz, -40C 105C

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动态随机存取存储器 4Gb LPDDR4X, DDP, x32, 1866MHz, -40C 105C

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动态随机存取存储器 4Gb LPDDR4, DDP, x32, 1600MHz, -40C 105C, T&R

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动态随机存取存储器 4Gb LPDDR4X, DDP, x32, 1866MHz, -40C 105C

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动态随机存取存储器 4Gb LPDDR4, DDP, x32, 1866MHz, -40C 105C, T&R

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动态随机存取存储器 4Gb LPDDR4X, DDP, x32, 1600MHz, -40C 105C, T&R

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动态随机存取存储器 4Gb LPDDR4, DDP, x32, 1866MHz, -40C 105C

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动态随机存取存储器 2Gb LPDDR4X, x16, 2133MHz, -40C 105C

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动态随机存取存储器 4Gb LPDDR4X, DDP, x32, 1600MHz, -40C 105C, T&R

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动态随机存取存储器 2Gb LPDDR4, x16, 1600MHz, -40C 105C, T&R

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动态随机存取存储器 2Gb LPDDR4X, x16, 2133MHz, -40C 105C

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动态随机存取存储器 4Gb DDR3L 1.35V S动态随机存取存储器, x8, 1066MHz

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动态随机存取存储器 2Gb LPDDR4X, x16, 1866MHz, -40C 105C, T&R

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动态随机存取存储器 4Gb DDR3L 1.35V S动态随机存取存储器, x8, 933MHz

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动态随机存取存储器 4Gb DDR3L 1.35V S动态随机存取存储器, x8, 933MHz, T&R

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动态随机存取存储器 4Gb LPDDR4, DDP, x32, 2133MHz, -40C 105C

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动态随机存取存储器 4Gb DDR3L 1.35V S动态随机存取存储器, x8, 1066MHz, T&R

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动态随机存取存储器 2Gb LPDDR4, x16, 1866MHz, -40C 105C

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动态随机存取存储器 4Gb LPDDR4X, DDP, x32, 1600MHz, -40C 105C

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W66BM6NBUAFJ TR_未分类
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动态随机存取存储器 2Gb LPDDR4X, x16, 1600MHz, -40C 105C, T&R

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动态随机存取存储器 4Gb LPDDR4, DDP, x32, 2133MHz, -40C 105C, T&R

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动态随机存取存储器 4Gb LPDDR4, DDP, x32, 1866MHz, -40C 105C, T&R

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动态随机存取存储器 2Gb LPDDR4, x16, 2133MHz, -40C 105C, T&R

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动态随机存取存储器 4Gb LPDDR4X, DDP, x32, 2133MHz, -40C 105C, T&R

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动态随机存取存储器 4Gb LPDDR4X, DDP, x32, 1866MHz, -40C 105C, T&R

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动态随机存取存储器 4Gb LPDDR4X, DDP, x32, 2133MHz, -40C 105C

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动态随机存取存储器 2Gb LPDDR4X, x16, 2133MHz, -40C 105C, T&R

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动态随机存取存储器 4Gb LPDDR4, DDP, x32, 2133MHz, -40C 105C, T&R

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W66BL6NBUAGJ TR_未分类
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动态随机存取存储器 2Gb LPDDR4, x16, 1866MHz, -40C 105C, T&R

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W634GU8QB11I_未分类
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动态随机存取存储器 4Gb DDR3L 1.35V S动态随机存取存储器, x8, 933MHz, Industrial Temp

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