| | | | | 暂无参数 |
| | 正向压降(Vf):450mV @ 1A 直流反向耐压(Vr):20V 平均整流电流(Io):1A 二极管阵列整流器 | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | 正向压降(Vf):450mV @ 1A 直流反向耐压(Vr):20V 平均整流电流(Io):1A 二极管阵列整流器 | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | 集电极电流Ic:500mA 额定功率:300mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:25V . 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | 集电极电流Ic:500mA 额定功率:300mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:25V . 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | 集电极电流Ic:800mA 额定功率:300mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | 集电极电流Ic:50mA 额定功率:200mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:15V . 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | 集电极电流Ic:700mA 额定功率:200mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |