类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：SIPMOS®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：26 毫欧 @ 33A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：47A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 2mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：135nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2500pF @ 25V
功率 - 最大：175W
安装类型：通孔
封装/外壳：I²Pak, TO-262 (3 直引线 + 接片)
包装：管件
供应商设备封装：TO-262
其它名称：SP000225704
IPI47N10SL-26
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPI47N10S33AKSA1 | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3 | 立即购买 |
| IPI47N10SL26AKSA1 | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3 | 立即购买 |