类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：85 毫欧 @ 4A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.2A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：700mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：7.5nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：310pF @ 15V
功率 - 最大：2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽）
包装：管件
供应商设备封装：8-SO
其它名称：*IRF1902PBF
IRF1902PBF
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF1902PBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC | 立即购买 |
| IRF1902TRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC | 立即购买 |
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| IRF1902TRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC | 立即购买 |
| IRF1902GTRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC | 立即购买 |