类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：400 毫欧 @ 1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：-
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：230pF @ 10V
功率 - 最大：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-62, SOT-89, TO-243（3 引线 + 接片)
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*
2SK2103T100
概述
在线购买
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SK2103T100 | ROHM (罗姆) | MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89 | 立即购买 |
| 2SK2103T100 | ROHM (罗姆) | MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89 | 立即购买 |
| 2SK2103T100 | ROHM (罗姆) | MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89 | 立即购买 |
| 2SK2145-Y(TE85L,F) | Toshiba (东芝) | MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV | 立即购买 |
| 2SK2145-Y(TE85L,F) | Toshiba (东芝) | MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV | 立即购买 |