类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：10 欧姆 @ 500mA,10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：180mA
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：1.43nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：60pF @ 25V
功率 - 最大：800mW
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-92-3（标准主体），TO-226
包装：散装
供应商设备封装：*
NDF0610
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NDF06N62ZG | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| NDF06N60ZG-001 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | MOSFET N-CH 600V 7.1A TO-220FP | 立即购买 |
| NDF06N60ZH | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
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| NDF06N60ZG | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |